Предприятием освоен серийный выпуск более 50 наименований силовых модулей на базе IGBT и MOSFET транзисторах на напряжение от 60 до 1700В и токами от 50 до 400А на один ключ со средним темпом производства около 1500 тыс. руб. в месяц.MOSFET модули — 100 V однофазный мост (1), MOSFET модули — 60 V полумост (1), MOSFET модули — 100 V полумост (1)
IGBT модули — 1200V одиночный ключ (3), IGBT модули — 1700V 3-х фазный мост (5), IGBT модули — 1200V 3-х фазный мост (3), IGBT модули — 1200V нижний чеппер (5), IGBT модули — 1200V верхний чеппер (5), IGBT модули — 1200V полумост (5)
|